Gräben reduzieren den elektrischen Widerstand

Argovia-Projekt bestätigt theoretischen Ansatz Im Nano-Argovia-Programm unterstützt das SNI angewandte Forschungsprojekte zwischen akademischen Forschungseinrichtungen aus der Nordwestschweiz und der Industrie. Forschende des CSEM in Muttenz, des Paul Scherrer Instituts (PSI), der Universität Basel sowie des Konzernforschungszentrums der ABB haben in einem solchen erfolgreichen Argovia-Projekt einen neuartigen Transistortyp für leistungselektronische Anwendungen untersucht und optimiert. Dieser Transistor […]

weiterlesen